社霞解释道。</p>

“话，是不是有些太安静了，或者太容易了？”</p>

凉宫遥道。</p>

“阿尔法目标应该已经知道黛氏凄乃皇的性能了，很好奇它会做出如何的反应，从地面部队的反馈来看，d02~d08已经投入战场，并遭遇到了六只指挥官级EtA，这么一，阿尔法目标可以确定是使无疑了。”</p>

宗像美冴道。</p>

“马上就是通往主大厅的大厅走廊了，只要通过那两扇隔离壁就能够看到反应炉与阿尔法目标了。”</p>

凉宫茜道。</p>

【现在开始对通过大厅走廊与隔离壁的作战步骤进行明——】</p>

社霞切入话题。</p>

【——在进入大厅走廊时，在其中待命的EtA会朝着我们涌来，这时候会关闭黛氏凄乃皇的卢瑟福力场进行导弹齐射来清理，而对电磁投射炮进行保留处置，毕竟每次投射需要很长的时间进行冷却，之前的大厅已经验证电磁投射炮的输出是过量的。</p>

保留电磁投射炮用以应对突然的威胁，是我的判断。</p>

在处理隔离壁上，隔离壁是新型的EtA种，但并不具备攻击性能，仅有着开合前往主大厅通道大门的作用。</p>

其结构为隔离壁开口部、补给导管和脑干节三段，开口部为垂直状态的多瓣叶开合门，开口内径在二百米以上，理论完全可以容纳高度达200米的黛氏凄乃皇通过。</p>

补给导管向前延长，尽头为脑干组织，但是，需要注意的是，导管及脑干组织都具有着保护壁，目前尚且不确定其具体厚度与强度。</p>

如果接受到不同的电流脉冲刺激，会分泌出2种化学物质，进行开关活动。</p>

消灭了大厅走廊内的EtA之后，黛氏凄乃皇会进入警戒与待命状态，由A01的各位，对连接脑干与隔离壁的补给导管注入促进开放的化学物质，以便其开放，令黛氏凄乃皇进入大厅走廊与主大厅相连的前置通道。</p>

此时，A01将分成两队，分别由榊中尉与伊隅上尉指挥，榊中尉指挥A分队在前，经验丰富的伊隅上尉指挥分队在后。</p>

A分队来到与阿尔法目标所在主大厅直接接触的第二道隔离壁前，做开放的事前准备，首先间歇性注入阻塞剂，使得隔离壁无法从主大厅那里打开，而导致直接面对阿尔法目标。</p>

同时埋下S11组件，按照黛总指挥的建议，S11组件安置采用双备份方案，须同时在脑干及隔离壁处安放。</p>

分队在确认凄乃皇进入之后，采取同样的S11安置策略，这样做的原因是，可以选择两种策略，一为摧毁脑干使得隔离壁失去开放功能，二为突发情况下，直接摧毁隔离壁，封死隔离壁未必是上策，有可能作茧自缚。</p>

安置S11组件之后，分队在之前注入促开放物质的地方注入关闭物质，使得隔离壁进入关闭状态，然后分队在关闭前进入两道隔离壁间的前庭区，与黛氏凄乃皇和A分队汇合。</p>

在第一道隔离壁彻底闭合之后，启动S11组件来摧毁它的脑干，使得第一道隔离壁无法进入开放状态，而此时，第一道隔离壁处仍然有S11组件作为预备方案。</p>

之后，黛氏凄乃皇进行荷电粒子炮的前置准备，之后，分队停止注入阻塞剂，改以促开放药剂，然后，所有A01战术机进入自动操作状态，全部卫士登陆黛氏凄乃皇内部。</p>

在第二隔离壁开放的瞬间，黛氏凄乃皇驶入主大厅，视情况，对反应炉或者阿尔法目标进行打击，优先对反应炉作战，同时引爆第二隔离壁的脑干S11组件，使得其失去闭合功能，为后续作战制造可能性。</p>

炮击同时，通过电磁投射炮或者大型VLS弹头打击主大厅的薄弱处，以制造通往主纵坑的逃逸通道，在完成目标打击后，立即从主大厅撤离，如果黛氏凄乃皇失去作战能力，便全部进入管制区域的装甲联络艇离开主大厅进入太空，并在预定基地中降落，以上……】</p>

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当d01部队按部就班的在S115路线前进时，名义上作为第二批轨道空投的A国部队却是选择了从主纵坑中进行攻略。</p>